Nie podejmuję się tu wykładać różnic między MOSFETami a bipolarnymi, i nie dlatego, że nie znam, tylko to jest długi temat. Generalnie BJT zawsze ma napięcie złącza około 0,6V, a MOSFET może być wzbogacany lub zubożany, do tego ten parametr jest podany w woltach, więc nie ma opcji wkładać BJT do schematu pod MOSFETa.
Kolejna sprawa - beta. Tranzystory mocy zazwyczaj mają małą. Chcesz tranzystor mocy pogonić prosto ze źródła liniowego? Przecież on będzie chciał połykać miliampery przez bazę, oczywiście z podkładem DC, bo jest tranzystor w klasie A, a Ty mu kondensator postawiłeś na drodze.
Najprostsze, co możesz zrobić, to dorobić mu Darlingtona np. na BC337, a jak to jest jakiś mocarz, to jeszcze BD139-16 pośrednio. Do tego zrób bias w układzie ze stałym prądem bazy - proste i skuteczne. Metody obliczeń można znaleźć w necie, a dane będą zależały od doboru tranzystorów.