Tak sobie jeszcze chwilę pokombinowałem.
Powiedzmy że chcemy wyciągnąć maxa z tego układu. Zastosowany mosfet ma silnie nieliniową charakterystykę przejściową, małą moc oraz dość wysokie napięcie Vgs(on). Ma on jednak dość małe pojemności - zwłaszcza Crss (Cgd) jest ważne skoro Cgs=Ciss-Crss jest bootstrapowane przez wtórnik.
Można zastosować zatem BUZ900 - ma nawet mniejsze Crss, choć większe Ciss i mała (za to o mniejszej zmienności) transkonduktancja sprawi że bootstrapowanie będzie mniej efektywne. Tym niemniej 125W zamiast 50W mocy na idealnym radiatorze to też jest konkret.
Załóżmy że chcemy dostać +- 1A na obciążeniu 8ohm. To oznacza swing napięcia +-8V na wyjściu. Dając R4 = 8ohm musimy spoczynkowo mieć na nim ok. 16V a więc bias na poziomie 2A. Do góry musi być 8V i napięcie na tranie przewodzącym 4A (bias plus po 1A na R4 i obciążenie) przy Vgs = Vds - z charakterystyk dla temperatury 75C jest to coś koło 5V. Tak więc zasilanie musi być ok. 16V + 8V + 5V = 29V, zaokrąglamy zatem w górę do 30V.
IRF513 ma napięcie wtórnikowe (Vgs = Vds) dla 4A znacznie większe - z wykresów jest ono powyżej 8V, dlatego napięcie zasilające (i moc spoczynkowa tracona na tranie) musiałyby ulec dalszemu zwiększeniu - powiedzmy że zasilanie musiałoby być ok. 33V.
W spoczynku tracimy 32W na R4 oraz 28W na tranie - na zwykłym radiatorze BUZ900 powinien wytrzymać, IRF513 (moc 34W) już raczej nie da rady.
Razem zasilacz dostarcza 60W albo i lepiej. Moc wyjściowa jest 4W (1A peak = 0.707A RMS @ 8ohm). Syfiasty układ zwłaszcza że na wejściu trzeba będzie zapodać nawet więcej niż te +-8V (5.7V RMS) żeby wysterować wyjście do takiej amplitudy. Do tego zniekształcenia będą po konkrecie.
