Wystarczy popatrzeć na charakterystyki przejściowe tranzystorów Iout =f(Uin). Dla bipolarnych to funkcja wykładnicza, dla FETów kwadratowa. To już pierwsze źródło THD. Poza tym, przy pojedynczym tranzystorze impedancja wejściowa będzie niewielka - kilka kohm dla bipolarnego w układzie WE, znowu dla MOSFETa pojemność wejściowa bramki może się dać odczuć źródłu. Darlington jest jakimś tam rozwiązaniem dla bipolarnych, MOSFETa lepiej sterować np. JFETem. Wtedy ten drugi może pracować jako wtórnik i wszystko cacy, bo jego impedancja wyjściowa jest mała, będzie duży współczynnik tłumienia. Jeszcze lepiej gdy tranzystor wyjściowy jest polaryzowany obciążeniem dynamicznym, czyli np. lustrem prądowym na tranzystorze. Stały prąd kolektora/drenu znacznie zmniejszy wpływ ch-ki przejściowej I=f(U), bo I przez układ polaryzacji będzie stałe, tylko przez słuchawki będzie zmienny. Można też pomyśleć o dwóch stopniach wspólnego emitera/źródła i sprzężeniu zwrotnym. Będą niskie THD, niska impedancja wyjściowa, a wysoka wejściowa. Dla niskoomowych słuchawek przydatne. Tymczasem wtórnik na pojedynczym tranzystorze nie ma wzmocnienia napięciowego, więc wysokoomowych słuchawek wysoko nie pociągnie z głośnością przy założeniu, że wyjście CD daje 2V rms.
